标题：陶瓷材料微观结构测定金相显微镜厂-电子元件封装
信息分类:站内新闻
作者:yiyi发布
时间:2013-10-21 21:41:49
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正文:
氮化铝为 III/V 之材料，亦系一种人工陶瓷材料，
为六方晶系之纤锌矿型（hexagonal wurtzite）结构，其氮原子及
铝原子之间主要系以共价键结合，由四面体配置之强共价键所构成，
且氮化铝之能隙（energy band gap）（约为 6.2 eV）为 III/V 族半导体中能隙最高，
且为无色而透光、高热传导率、高硬度、抗高温、抗化学腐蚀、压电性质
以及生物亲合性等特性之材料。由于氮化铝拥有
与 Si 相近之热膨胀系数，因此被认定为 IC 封装之最佳材
料，故目前大多应用于散热体、电子陶瓷基板、电子元件封装材料与表面声波
氮化铝薄膜之备制
利用射频溅镀方式，分别备制氮化铝薄膜于氧化铟锡玻璃、
硅及二氧化硅/硅三种不同基板上。其溅镀靶材为铝靶，
通入氩气（Ar）及氮气（N2）流量比为 3:1，溅
镀功率 80W，溅镀工作压力为 10 mTorr 之环境下以基板温
度 50°C 沉积氮化铝薄膜于氧化铟锡玻璃、硅及二氧化硅/
硅基板上，此外亦分别以 100°C 及 150°C 之基板温度沉积
薄膜于上述三种基板上，
以形成 AlNX/ITO Glass、AlNX/Si及 AlNX/SiO2/Si 之结构，
备制完成之氮化铝薄膜利用场发射扫描式电子显微镜
（field-emission scanning electron microscope, FE-SEM）观察其表面结构形态
出自http://www.bjsgyq.com/北京显微镜百科