标题:多晶硅覆盖的栅氧区厚度截面金相分析显微镜

信息分类:站内新闻   作者:yiyi发布   时间:2017-4-28 1:30:21 将本页加入收藏

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正文:

多晶硅覆盖的栅氧区厚度截面金相分析显微镜

    光电倍增管是很理想的探测器,但它是一种一元探测器,这是
其最大的弱点。虽然目前已研制出多阴极光电倍增管,它相当于许
多很细的倍增管组成的矩阵,但目前也只能作到一百个左右的通道
,与期望值相比还远远不足。
    近年来,在天文观测中(主要是对暗目标的观测),二维光电器
件得到越来越多的应用。二维光电器件兼备了照相底片和光电倍增
管的优点,是一种更为理想的探测器。按其工作原理和结构可分为
:像增强器、电子照相机和电视型探测器等。

    二相CCD
    为使CCD能在二相时钟脉冲驱动下工作,电极本身必须设计成
某种不对称性,即由电极结构本身保证电荷转移的定向性。产生这
种不对称性的最常用的方法是利用绝缘层不同厚度的台阶和离子注
人来产生内势垒。
    台阶氧化层二相结构:形成台阶氧化层电极结构的方法可以有
多种,现在多采用二相硅一铝交叠栅结构。第一层电极采用低电阻
率多晶硅。在这些电极上热生长绝缘氧化物的过程中,没有被多晶
硅覆盖的栅氧区厚度也将增长。第二层电极采用金属铝电极,铝栅
下绝缘物质厚度与硅栅下不同,因而在相同栅压下形成势垒,它的
作用是将各个信号电荷包隔离并且限定电荷转移的方向。这种结构
的显著优点是电极间发生短路的可能性小,成品率高,适用于高性
能、高封装密度的大型CCD器件。


    注人势垒二相结构:采用离子注人技术可在电极下面获得表
面势不对称结构。在N沟道中可注人硼原子,当其离化后在表面
产生固定的负电荷,这种负电荷使电压提高,形成台阶梯状的势垒
分布。注人势垒比氧化物台阶势垒可以做得更高些。
    二相CCD结构的优点是驱动脉冲简单,在相同的时钟频率下
电荷包转移一个单元所需时间短些。与三相CCD相比,布线也比
较简单,但它的单元存贮电荷的容星却不如三相CCDO
    除了这两种 CCD结构外,广泛采用的CCD结构还有虚相(单
相)CCD和四相CCD,它们也各有优缺点。











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