标题：复合材料的凝固过程碳化硅颗粒研究显微镜
信息分类:站内新闻
作者:yiyi发布
时间:2016-2-4 10:17:00
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正文:
复合材料的凝固过程碳化硅颗粒研究显微镜
复合材料的凝固过程和界面状态
SiC颗粒在基体中的分布订和材料凝固速度，颗粒尺寸以及表
面微观结构有关，本试验中在枝晶中分布较少，而多偏聚于晶界
或共晶组织中，主要原因应归于凝固速度不够快，
SiC颗粒被枝晶前沿逐渐移到共晶凝固区的结果，等人的研究结
果表明，当凝固速度大于颗粒在界面前沿运动速度时，颗粒就被
固液界面吞食，当凝固速度小于时，颗粒就被排斥在固液体界面
前沿 ，颗粒尺寸小于一次、二次枝晶间距时，颗粒有可能被枝
晶吞食，反之，颗粒将被排斥到晶界上，所以，增大凝固速度，
可以进一步细化枝晶，提高粒子分布的均匀性。
试验中发现，SiC颗粒和基体界面存在着3种状态；（1）界面
有间隙（图2），这是由于金属液处于半凝固状态，当颗粒出现
集结时，金属液补缩通道狭窄，补缩压力不足乱，（2）界面无
反应物，光滑平整，（3）界面有反应物生成，可见断续反应层
，见图3中B处，此时，基体会以SiC颗粒作为衬底生长，这些情
况产生于不同颗粒或同一颗粒的不同部位，并和碳化硅颗粒的表
面状态，界面化学成分，颗粒晶面取向等因素有关。
SiC颗粒经高温焙烧，可去除界面微区能谱成分分析表明这里
存在着的富集，因为和氧亲和力强，无论从动力学还是热力学条
件同，都可发生下列反应生成物进一步反应生成改善了合金的润
湿性，使得相能依附于SiC生长，但是由于预处理时不均匀，或
者同一颗粒不同位置的表面状态不具备上述条件，导致了界面状
态的多样化。
出自http://www.bjsgyq.com/北京显微镜百科