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正文:
蜷线原点的观察给我们提供了极大的兴趣,在蜷线的极点往往发
现有某种包裹物,固体的外来颗粒一般具有不规则的形状;含有气
体包裹物的孔穴通常具有平行于晶面平面的圆形或六角形的截面,
在这种情况下证实了外来杂质起着蜷线生长的活动中心的作用的这
种假设,然而在很多情况下,在蜷线中心没有发现任何包裹物,这
时蜷线可能是由于晶体原始骨架的生长而形成蜷线,我们现在不来
讨论有利于产生蜷线的第二种机理的已有事实。
在一定的技术条件下得到的碳化硅晶体是透明的,同时有些试样
充满了粗大的气体包裹物,这些气体包裹物有时可能提供我们认晶
体表面生长的历史,在气孔包裹物的底表面上我们成功地看到蜷线
的最初几圈和生长层组,观察得到的结论是,在晶面生长过程中,
其蜷线显微形貌 可以发生重大的改变,在晶面生长的邻近区内产
生的新中心与原始的支配中心竞争;晶体中的缺陷常常沿着倾斜方
向的点阵转换,由新生长中心处的急剧生长可以完全改变生长层阶
前的方向,因此,生长的晶面是不断地改变显微形貌的表面,显微
形貌的个别要素仅仅是在某一段时间内的在晶面的小区域范围内同
周相在生长的。
同时,如上述碳化硅晶体的显微镜研究指出了晶体生长面上显微
形貌 的多变性,晶面被晶界所分离的表面局部区域具有蜷线结构
,通常蜷线包围了晶面表面相当大面积,而沿着厚度方向,它们概
括的面积则较小,这些区域内的蜷线梯阶的高度往往是简单整数。
因此可以认为,与晶体结构空间的我灸性相似,存在着有历史意
义的晶面蜷线显微形貌的可变性,同时,有蜷线结构的局部区域则
相当于以一定层次排列的规律为特征的区域,同时应该指出,在个
别情况下,螺旋梯阶状小的高度可达4微米,严格遵守一定的堆积
规律,由这种螺旋梯阶状小所形成的蜷面层的高度,显然应该与晶
体区域内的点阵重复周期一致。
出自http://www.bjsgyq.com/
北京显微镜百科