标题：样品氧化过程试验实验分析图像显微镜制造厂商
信息分类:站内新闻
作者:yiyi发布
时间:2015-12-14 13:14:19
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正文:
样品氧化过程试验实验分析图像显微镜制造厂商
中等程度压力的试验
进行了一系列的在10毫米水银柱至一大气压的压力范围内高温氧
化过程的试验，在10毫米水银柱压力或较低压力下，发现样品失重
是由于氧化过程的结果，说明在这个压力范围内这个反应涉及挥发
的化合物SiC和CO从表面去除，在较低压力范围内氧化速率高于压
力的范围，样品在高压力范围内由于形成SiC而增加重量，在10毫
米水银柱的大气压之间的某些压力必然存在着一个过渡范围，在这
个过渡范围挥发过程被薄膜的形成所代替。
若将高真空和高压力下的试验结果相联系，关于氧化过程可以概
述于下列的步骤。
1、在低压力和室温下，氧吸附在清洗的SiC表面上具有0.01数量
级粘附系数，吸附层的正确结构末曾清楚，但是以前的经验指出平
衡层厚度可能不大于2个单分子层，吸附层的存在导致表面性质如
功函数和光电产率大大的改变。
2、增加温度和维持氧的压力在10毫米水银柱对不上号，SiC以挥
发氧化物形态的蒸以成为重要的了，且引起可以测量得出的重量损
失，这和所观察到的吸附的愧疚能够在真空下低达500℃时部分地
被除去的现象一致的。
3、如果氧化是一个大气压数量级的压力下和900℃以上发生的，
那末就会有数百单分子层厚的SiC薄膜形成，当平衡复盖层完成时
，则表面就可以防止进一步的氧化，因为早以确定，初期的氧单分
子层形成能够使表面的电性产生很大变化，所以研究较厚的分子层
产生影响是重要的，从确定氧化物层所引起的作用的观点研究了Si
C晶体和铜点接触处之间的整流性质，他的实验指出SiC薄膜对整流
过程不是重要的，仅仅作为一个电阻层。
出自http://www.bjsgyq.com/北京显微镜百科