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位置灵敏探测器
半导体探测器发展的早期,就试图制造一种小巧的同时是位
置和能量灵敏的器件。在这些早期的器件中,用镶嵌许多分开的
探测器的组创,或在同一基片材料上制成一定数目的适当分开的
面垒型计数器,来得到对入射粒子位置的灵敏性。
位置灵敏探测器”近来代替了这些系统,因为它结构简单,简
化了相关的电子学线路并有较好的位置分辨率(探测器单元之间
不存在死空间)。使用这些器件能够直接记录粒子的角分布或者
代替磁谱仪上用的照像底板。它能够同时分析入射粒子的动量和
能量,避免了对照象底板作繁琐的显微镜观测。
晶格的结构缺陷
人们通常把半导体晶体假设为静止原子的完美的周期性结
构。实际的半导体与这种情况有许多差别,这种差别主要有热振
动、杂质和结构上的缺陷。对半导体辐射探测器来说,在制造过程
中很容易产生结构缺陷(在375℃时锗就发生塑性变形)。结构
缺陷也可以由辐射引起。
缺陷的重要性主要在于它们对迁移率、复合和俘获现象的影
响,我们以后再研究它。在半导体中存在的结构缺陷,大致可分为
如下几类:口)点缺陷;6)线缺陷;c)面缺陷。因为关于面缺陷(即
。台内平面或表面的不完整性),目前知道得不多,而且它们并不显
得非常重要,所以我们着重讨论前两类缺陷。
出自http://www.bjsgyq.com/
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