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正文:
高质量掺杂的亚微米层就是采用这个方法生长的,它的主要
优点是把生长环境控制在超高真空中,以及在生长之前用各种方
法清洗衬底的有效性(也就是说,以控制气氛和离子轰击的方式
进行高温热处理)。
显然,相对于标准外延法来说,分子束外延是不能进行大批
生产的工艺过程;设备昂贵,而且优点比较少。然而,这种外延
技术可以应用在极薄结构的生长中,而通常的生长工艺,这种控
制则更加困难。
目前实际应用的鉴定技术是很多的,而且其数量正在日益增
加。事实上,每一种新型器件的问世势必随之产生一种新的鉴定
技术。器件的发展包括着器件工程师不断地向材料科学家提供其
所做器件在性能方面出现的问题。其有关参数可以通过适当的测
量方法进行单独的检定,并且相应地改进材料的工艺,使之适合
于器件的进一步发展。因此,材料的鉴定正由高度复杂而专门的
技术向适用于生产的简单、通用和联机测量的方向发展。
通常,首先把测量方法分为化学、物理和电学分析几种,然后
再分为研究、试制和生产三个互相关联的阶段。对各种初步提纯过
的原材料以及用它们所制备的体单晶来说,化学分析是必不可少
的。而对于薄层来说,因为可用作分析的材料的量极少,所以必须
采用专门的技术进行测量。这些专门技术主要是由体材料的测试
方法发展起来的。然而,对表面层的研究尚需有更为特殊的方法。
物理分析可以给出关于半导体晶体结构和结晶学性能的数
据,以及半导体的力学和几何学特性。
电学分析测定的参数直接影响着用这种材料所做成的器件的
性能。所用的方法取决于器件结构所造成的限制。
研究的顺序并没有明昂的界限.因为各种枝术是互相关联
的。每一种方法都要在实际的器件范围内经受检验,以便选择出
最佳的鉴定方法。对半导体行业的主要的评论是将许多精力耗费
在测量和记录无用的或多余的数据上。无可非议,测量是要耗费
时间和金钱的,因此就应当经常根据所获得的有用数据来重新估
计每一个测量方法的价值。
出自http://www.bjsgyq.com/
北京显微镜百科