标题：表面粗糙度对薄膜电路-混合集成电路检测显微镜
信息分类:站内新闻
作者:yiyi发布
时间:2015-4-2 12:16:02
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正文:
混合集成电路对基片的要求
1.基片平整度、粗糙度向
目前的薄膜集成电路，大部分直接做在基片上，为了保证能得到很好
的工艺重复性，和便于自动化生产，基片表面一定要非常平整，同时表
面粗糙度对薄膜电路（特别是薄膜电容器）的成品率影响非常大。薄膜
电路基片的粗糙度应小于1000埃，而厚膜电路基片的粗糙度可略差一些
，例如对膜厚为10-25微米的厚膜，基片的粗糙度应小于3微米。
2.良好的电气性能
基片应该具有良好的绝缘性能，即要有向的电阻率，随着混合集成电
路在微波波段应用。
3.高的导热系数
随着集成度的提高和运用功率的增加，在一些元、器件，特别是大功
率晶体管和电阻器附近，会发生大量的焦耳热。如果这些热量不及时散
发出去，将使电路过热而损坏，因此，高的导热系数有时成为大功率电
路选择基片的重要条件。
4.与其它材料相匹配的热膨胀系数
这种热膨胀系数的匹配，可以减少温度循环、温度冲击、焊接和电路
功耗变化等引起的热应力，在实践中发现，如果基片与膜状材料的热膨
胀系数相差较大（不匹配），热应力足以把膜从基片上剥离下来，或使
电路不稳定，基片的热膨胀系数对膜状电阻器值的一致性和电阻温度系
数也有直接关系。
出自http://www.bjsgyq.com/北京显微镜百科