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正文:
集成电路技术的基础建立在对图形再生和转换过程的控制
上。流过集成电路的电子,只有受到很精确尺寸的通道和“墙”
的控制,才能正常工作。一旦这些关键尺寸发生很小的偏离,电
路就不能正常工作。因此从本质上来说,微电子科学本身与能否
产生预期的图形尺寸密切相关。由于图形全部是微细的,因此必
须使用微细
测量技术。超大规模集成电路的尺寸一般都在亚微米
级以下,这时使用光学
显微镜就不能得到正确的结果,而只有像扫
描电子显微镜(SEM)一类的高能束设备才能实施微米和亚微
米图形的测量。随着图形尺寸的减小,集成电路掩膜和圆片制作
工程师面临的关键问题之一就是如何改善测量技术。
测量技术和测量设备。各种不同类型的设备可以造成对同一套
掩膜的不同侧量结果,此外不同操作者也可造成测量的可变性。
在同一天里,同一个操作者用同一个测量设备对同一个掩膜上的同
一元素进行多次测量,也可能得到不同的结果,这种情况是人人皆知的。
可以想象,不同的操作者使用不同的测量设备对不同的掩膜进行测量
将会造成多大的不一致性,
随着图形尺寸的缩小,越来越需要排除操作者的主观因素,
但也不能把全部问题归咎于操作者,像差、衍射以及其他光学变
化都能经过显微镜造成空间像的变化。衍射将在铬图形边缘造成
明显的花纹,形成线条边缘由暗到明的过渡,这种类似于光学系
统中的爱里斑(它的直径受衍射限制)的过渡区必须使用光学阀来
测量。一个光学系统中,在0.65的数值孔径中有直径为1.0微米的
爱里圆斑。
出自http://www.bjsgyq.com/
北京显微镜百科