标题：零组件的外观形状轮廓测定工具型量测用显微镜
信息分类:站内新闻
作者:yiyi发布
时间:2013-11-15 0:43:29
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正文:
破坏零组件的外观须详细纪录，可以绘图或照相的方式记录其破坏的程度
﹙如样品外观、位置、形状、破坏外观等﹚
试样的选择，有时需同时考虑比较已破坏与未破坏的零件，
以确定到底是原来的制造品质不良，或是后来的使用条件所造成。
发光二极体的界面温度(Junction temperature)量测
就目前的研究显示，发光二极体的发光亮度与寿命会随着晶片界面温度的提升而随之衰减，
即温度越高不仅会造成发光亮度下降，亦会加速发光二极体的劣化，
因此，降低发光二极体的界面温度已成为现今刻不容缓的课题之一。
欲降低发光二极体的界面温度，首先必须先了解发光二极体界面温度的量测方法；
量测发光二极体的界面温度共有下列几种方法：
(1) 显微拉曼光谱(micro-Raman spectroscopy)
(2) 热阻(thermal resistance)
(3) 电激荧光法(electroluminescence)
(4) 光激荧光法(photoluminescence)
(5) 非接触法(noncontact method)
(6) 向列液晶(nematic liquid crystal with infrared laser illumination)
(7) 顺向电压法(forward voltage)
其中，显微拉曼光谱、电激荧光法与光激荧光法因其量测精准度较低(±10oC)，
因而较不常被使用；非接触法也因量测精准度低且只能应用于单颜色发光二极体
的界面温度量测
，
因此其应用受到限制；惟独顺向电压法因具有量测方便性且量测精准度远高于其他量测方法，
因此成为最常被广泛使用的量测方法。顺向电压法之所以可以量测发光二极体的界面温度，
主要是因为顺向电压对温度微分(dVf/dT)会呈一固定常数，
藉由此一关系即可由顺向电压值推算其相对应的温度值，
此相对应的温度值即为发光二极体的界面温度
出自http://www.bjsgyq.com/北京显微镜百科