标题：电子元件金属焊接点检测金相显微镜
信息分类:站内新闻
作者:yiyi发布
时间:2013-5-5 21:46:22
将本页加入收藏
下一篇：焊接显微镜-焊接液池的组成会随着焊接温度变化
上一篇：光学式显微镜观察磨耗表面形态-磨耗试验机
点击查看产品参数和报价--丨--
---
---
---
正文:
半导体多晶片及三维封装金线下陷
目前半导体主流的封装连结技术方式主要有打线接合(wire bonding)和覆晶接合(flip chip)，
由于近年来电子元件不段强调轻、薄、短、小及弁鉏W加，为达到此目的，其元件内部势必要增加I/O 数、增加电路密度、
降低电感，所以多晶片模组(Multi-Chip Module, MCM)及三维晶片模组(3-Dimensional Package )
为近几年新开发且常被应用的新型IC 封装技术。但由于多晶片模组及三维晶片模组内各晶片的厚度、
接合高度及接合跨距皆不同，欲连结不同种类之晶片弁遄A经评估仅打线接合方法(wire bonding)适用于较为先进之
多晶片模组及三维模组封装，所以未来打线接合仍将为先进之多晶片模组封装主流技术，
且以高纯度金线(pure gold wire)为主。
重于金线偏移与晶片封装模流分析，但对金线基本机械性质及微观时机械行为尚未非常明瞭，
本研究针对微金线的基本材料机械性质作一研究外，更针对多晶片模组封装及三维封装过程可能遇到的微金线
下陷性质做进一步探讨，实验主要包含金线拉伸实验及金线下陷实验两种，
以瞭解金线接合时其金线下陷受几何形状影响情形。
将得到的下陷劲度实验值与ANSYS数值分析结果进行比较，瞭解不同金线接合跨距下的金线拖曳力及纵向位移下陷大小。
相信对半导体封装微金线设计分析时，
其相对的金线接合跨距，所能承受最大金线拖曳力及纵向位移下陷能有所预测与依循。
出自http://www.bjsgyq.com/北京显微镜百科