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热点判断？半导体故障分析显微镜专卖！

理论上，当发热点的发散功率超过0.3mW时，就有机会看到亮点，但在实务操作上，我们通常以1mA的电流做为一个分界点，如果低于这个电流值，缺陷所散发的热可能不足以使液晶转态，看到热点的机会也相对变低，此时可考虑升高偏压或基座温度以提高液晶显示的侦测率。但不是电流越大，就理所当然的认为越容易看到热点，过大的电流可能意味着IC本身有全面性的问题，无法抓到一个独特的热点，或者缺陷所引发的大电流沿着power line到处流窜，掩盖了真实的问题点，也有可能是缺陷处引发了其他电路的误动作，热点所代表的并不是真正有问题的地方，如DRAM产品的pumping电路就容易受到连结线路的问题而导致本身有热点，但问题其实是发生在别处。根据经验，当电流大过10mA时，就需要有个认知，即有找不到有意义的热点的可能。

一般来说，LCD技巧找出的大部份是metal或poly bridge的缺陷，绝少部份则是via open或高阻值，via 问题造成大电流的原因是因为电压準位飘移导致下一级电路开启，不过在IC运作上，阻值问题造成Function Failure的机率远大于DC Failure发生的机率，所以在故障分析的实务经验上也比较不常看到via阻值问题所造成的DC Failure。