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正文:
在掩膜及圆片制作中,对几何尺寸的测量是决定工作质量好坏的最后
判决。在超平整表面上形成图形的整个工艺过程,只有当形成符合预先计
算的线宽的一套几何图形后,才能算结束。而钕电子制备的全部工艺过程
的成败,很大程度决定于对半导体表面上形成的几何图形测量的精确性和
可靠性。
·’现在:掩膜和圆片制备的图形尺寸在1μm的范围内,因此相应的临
界尺寸的容差在0.2~0.4μm范围内,并且正日趋减小。掩膜生产发展的
趋势是图形精度和生产批量的进一步提高。图形尺寸的测量设备都在翻新
,变得越来越高级。在本章中,我们只能尽我们所知来综述各种测量方法
。
各种图形对测量设备的要求是不同的,应该正确了解实’际的需要,
才能正确地确定所需的测量设备。对研究部门来说,由于从事的图形的几
何尺寸已处于科学发展的前沿,而且对测量设备的需要量特别小,因此应
该具备最先进的测量设备。而在圆片生产线中情况完全不同,实行三班制
工作,一为保证质量需对大量盼几何尺寸进行测量。我们将阐述掩膜制备
工艺流程的各个不同步骤,并确定用于检验图形的设备,整.个阐述过程
从数据磁带的原始输出开始,一直到集成电路芯片进行终端测试和封装以
出自http://www.bjsgyq.com/
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