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正文:
烧结过程中的晶粒异常生长
压制的生坯开始烧结时,气孔多位于晶界处,~定阶段后,晶
界迅速迁移,有的气孔包容于晶粒内,个别晶粒迅速长大,称为异
常晶粒生长。原料的颗粒尺寸分布过宽时,易造成异常生长。在烧
结后期,部分高致密地区易出现异常生长的成核处170]。晶界处某
些活动的第二相,也会引起异常生长。异常生长的晶粒尺寸有时候
比正常生长的晶粒大几个数量级,这对陶瓷的性能非常不利,例如
对耐电强度、机械强度、抗热震性等都有损害,也影响致密烧结。
在刚玉陶瓷中引人少量MgO,可使晶界活动性减少100倍,从而可以
避免异常生长。如果加入物超过固溶限,形成第二相,抑制晶界迁
移,则也可防止异常生长。一些过渡
金属氧化物的非化学式量和缺
陷,极易被烧结中氧分压所控制
热压的工艺设备主要为电炉和压机的结合,温度以及压力控制
,有时要抽真空或通气氛,这就需要密封及水冷。热压用的模具通
常用氧化铝、碳化硅或氮化硅制造,可在1200℃使用。热压温度低
于900℃时,可采用超合金钢为模具。由于金属模冷却收缩远大于
压制品,使热压件不易取出,也常发生因应力原因使制品破裂。有
时压制时需采用惰性粒料隔开,防止高温下样品与模具反应。例如
用电熔ZrCh粒子隔开,使压力通过垫料传送到样品。热等静压是通
过气体向样品加压,这时需采用贵金属铂。铂耐高温可代替橡皮包
封试样。也有把样品先经普通烧结,用形成的表皮代替铂,然后再
进行热等静压,此方法已用于高要求元件(如磁性瓷记录头)的热等
静压。
出自http://www.bjsgyq.com/
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