哈式槽-电镀实验槽电镀后处理以显微镜观察！
信息分类:金相文章
作者:yiyi发布
时间:2012-1-6 11:03:05
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哈式槽-电镀实验槽电镀后处理以显微镜观察！
研究方法
一、哈林槽电镀实验：
将通孔板以 3%H2SO4 清洗后，置入只含VF1 或VF2、Cl-等添加剂的硫酸铜电
镀液电镀槽中，进行电镀，电流密度控制在1.5A/ft2（ASF）、电镀时间则是依据通
孔之大小而定，一般为5 到12 小时。
二、电镀后处理：
电镀完后取出 PCB 后以超纯水冲后迅速以吹风机吹乾，以金相显微镜观察其
铜表面结构并拍摄照片记錄，将欲观测之通孔部分用冲床机取下后，加以灌胶、
研磨、抛光、蚀刻后，再以OM 观测通孔截面结构，并拍摄金相显微镜照片记錄。
三、电化学实验：
将白金旋转电极预镀 500 nm 厚度之铜膜，电镀液：200g/L CuSO4．5H2O ，
3/12
温度控制在25℃，待温度升至设定温度后分别将旋转工作电极，计量电极（Counter
Electrode,铜棒）以及參考电极（饱和硫酸亚汞，S.S.E.)，置入试验杯中。
循环线性扫描伏安法（Cyclic Linear Sweep Voltammetry，CLSV）:工作电极转
速分别为0、500 rpm，扫瞄范围：OCP~-0.70V(vs. S.S.E.)，扫瞄速度：1mV/s。
计时电位分析法（Chronopotentimetry，CP ）：工作电极转速分别为500、1500 rpm，
电流密度：1.5 ASF。
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