标题：光刻胶结构热氧化微电子学技术-分析显微镜
信息分类:站内新闻
作者:yiyi发布
时间:2017-6-13 22:18:57
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正文:
光刻胶结构热氧化微电子学技术-分析显微镜
用于半导体技术中的光刻胶可以根据曝光的光源进行修正，叫以通
过改变光刻胶的分子结构，进而改变它的化学性能，如溶解度。最
大的敏感性一般位于紫外线区域，并且敏感性随波长的增加而降低
。抗蚀剂可以在黄光下被进行处理，曝光不是随意的，因此加工晶
片涂层的房间，可以用黄色灯光照明(“黄光房间”)。光学光刻包
括下列不同的过程：基体准备(清洗)；涂层(喷涂)：干燥；曝光；
显影；硅片表面的局部修改；抗蚀剂的去除(剥离)。
表面改性
热氧化
在较高温度和富氧环境下，硅片表面可以形成气体不能穿透并
且耐化学性的SiOz层，这一Si02层为保证硅在微电子学中的重要地
位发挥了较大的作用。SiO：层的应用如下：钝化层；掩模层；绝
缘层；电介质层；促进层的粘接。
在热氧化过程中，晶片表面的硅原子在氧化性环境中逐层反应
。氧化层不随时间以线性方式增长，而是随时间以指数方式增长。
为与硅原子反应，氧原子必须通过越来越厚的Si02层扩散进去。硅
处理的温度在800—1200℃。在无水蒸气的条件下，称为“干式，
，氧化过程。无水氧化物具有优良的绝缘性能，几乎无缺陷‘但是
这种方法，要获得0．1Pm的氧化层需要约10h。
如果氧化过程在富有水蒸气的反应室中进行，则称为“湿式”
氧化过程。与“干式，，氧化过程相比，“湿式”氧化层呈多孔
性并且非常容易被水分子穿透进而与新的硅原子反应。“湿式”氧
化法容易获得较厚的氧化物层。“湿式，，氧化物层与“干式”氧
化物层相比，具有较低的密度和低的剥离电压。
扩散
在微电子学中，掺杂是产生P-N结最重要的环节。P—N结是在
单晶硅拉制时经掺杂形成的。在半导体技术中，这些P-N结形成了
每一个器件的中心组元。在晶体的拉制时，已经掺杂成N型或P型半
导体，在制造电子元件时，还必须在断面结构必须引入掺杂梯度。
出自http://www.bjsgyq.com/北京显微镜百科