标题:气体和液体硅片加工检测金相显微镜

信息分类:站内新闻   作者:yiyi发布   时间:2016-12-5 1:04:44 将本页加入收藏

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正文:

气体和液体硅片加工检测金相显微镜

气体和液体源要求使用开管扩散系统。特别是必须有一个与半导体
硅片相当的无限杂质量,这样,杂质的分布服从余误差函数。为了
更好地控制杂质的分布图形,大多数的扩散采用上述的两步扩散法


,首先,用低温(800—l,1000摄氏度)淀积,仅在表面附近的一个
很小的区域里掺杂,然后,在无源炉内,使杂质在半导体硅片中进
行再分布。关于初扩散的计算,可先考虑它是余误差函数,并依据
它是很浅的扩散从而计算出每平方厘米的杂质浓度。再用它作为扩
散方程的有限源的边界条件,以得到最后的解。这样就提供了对表
面浓度和杂质分布的控制。













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