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正文:
电荷的电子探测
光电传感过程的最后一步是对光激发电荷包的精确电子探测。
很明显,电子电荷探测电路只增加了数量较小的噪声,因此即使是
非常小的电荷包,甚至可以小到一个单位电荷包,也能被准确地探
测到。
电子电路和元器件产生噪声的基本原因是由于自由电子与周围
环境发生热相互作用而产生的。在组成电子元器件的导电材料中,
电子运动具有随机成分,因为它们的动能不为零电子电荷探测
在室温环境中实现具有优于单电子均方根分辨率能力的电荷波
包电子探测显然是很实际的。如果读出噪声的均方根小于0.2~0
.4个电子,就能实现真正的单电子电荷探测。
将这种单电子电荷探测电路与适合的光电探测材料相结合就能
够实现量子效率接近于100%的单光子分辨能力的光电传感器,其
中暗电流密度能够达到足够小的水平,几何填充因子接近于1个单
位量级。本书随后的章节将介绍几种采用混合技术实现的单光子电
子图像传感器。
由于无处不在的硅材料技术可以实现噪声小于单个电子均方根
的片上和内部像素电荷探测电路,而且在可见光和近红外光谱范围
,硅材料的量子效率接近于100%,像素结构使几何填充因子接近1
00%,因此可以制作出单片集成和性价比高的单光子电子图像传感
器。当前研发的背照式基于CMOS图像传感器技术填补了低成本单光
子图像传感器的空白
出自http://www.bjsgyq.com/
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