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正文:
二次晶粒长大与气孔的陷入
在一般的电子陶瓷中二次粒长是屡见不鲜的,其粒长速度,与坯
料粉粒的细度有明显的关系,通常可以得到如图3-31所示的规律性
,即粉料径越细,二次粒长速度越大,最终的二次粒径也越大,粉
料粒径愈粗,二次粒长速度愈慢,则二次粒长所生长的粗粒最终粒
径,比细燃料时还要小,从图3-31中可以看出,当初始粒径达60微
米,而当初始粒径为10微米,最终粒径却不到50微米,出现象曾经
使人困惑不解,但当你知道二次粒长的机制之后,则对这种现象就
不会奇怪了,因为粉料的初粒愈强,一次晶粒的平均粒径较小,出
现偶然粗粒的可能性也较大,故使二次晶粒成核容易,恒速长大时
的粒长速度也大,故极易长大型二次晶粒,当粉料的初粒径较大时
,则正好相反,一次晶粒的平均粒径较大,后期恒速长大时的速度
也较慢,故形成的二次晶粒也就比较小,所以坯料粉料愈细,愈要
注意防止二次粒长的发生。
在二次粒长的过程中,有时也会出现非常平直的界面,表面张力
,粒界平衡的情况是不大一致的,这种平直粒界几乎全都出现在烧
结过程中存在少量液相、且又能完全润湿和包裹晶粒表面的场合,
特大晶粒所暴露的外面的,是其自身晶系中,质点排列最密集、表
面自由能最低的表面,故在通过液相作用的溶入-析出过程中,将
有大量质点在这种自由能最低的表面上定居,而和它相邻的小晶粒
或尖凸粒面,将大量的溶入液相之中,其结果必然使大量的液-固
界面消失,使物系自由能显著降低,由于少量液相的阻隔,故相邻
小粒和粒界取向或曲率、外形,对平直界面都失去了约束作用,不
能影响其表面的构型,在与这种巨大平面相润湿的液膜中,基质的
浓度、或其溶入析出过程不见得到处都能均匀一致,但为了要保持
平面的连续推进,故在个别浓度小,凝集慢的地方,将出现局部缺
陷,如粗粒中黑点所示,故粗粒仍远非理想的单晶。
出自http://www.bjsgyq.com/
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