标题：使用电子显微镜研究加热时微观结构缺陷消失的过程
信息分类:站内新闻
作者:yiyi发布
时间:2015-11-18 11:26:00
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正文:
人们已经使用电子显微镜研究加热时缺陷消失的过程。例如大约
在473k时，铝中淬火位错环逐渐缩小而最后消失。 该过程的激
活能为1．3电子伏持，这就提醒我们，该机理是位错攀移， 因为通过
空位的散射位错环能收缩。消失速率呈抛物线性变化，进一步缩小更
加迅速。淬火空位引起电阻率增量变化，测量这个变化表明：同样温度
范围内铝的位错环消失时，其电阻率就恢复。实际上，电阻率曲
线有两段：第一段在室温下几分钟内发生，设想为空位在聚集并且形
成位错环j第二段温度为423k～473k之间发生，这是位错环的消失
阶段。用退火的方法较难于消除四面体缺陷。金中的四面体缺陷温度
为873～923k的范围内才消失，并与电阻率的显著下降相对应。1
温度为623～673k退火时，位错环消失(自扩散) 的激；活能约为1．8
电子伏特，而四面体运动的激活能接近5电子伏特。
更详细的观测可知，大量辐照的金属中，直径约25埃的小暗点或
者观察到的更小的暗点很可能是发生贫化的区域而不是位错环
不仅在一般的辐照温度下，而且在低于223K的温度下，铜中也容易
形成这些小暗点。这一迹象提醒我们，小暗点是就地形成而不是扩散
形成的。更进一步的研究得知，小暗点浓度的增加与辐照成正比，不
同于已经观察到的较大位错环。在相当低的温度(铜、银为623K以
下)下进行退火时；可能由于预先未分解的缺陷的长大而出现更多的
的小缺陷。其后，某些黑点以消耗其它小点而得到生长。
现在讨论微观结构更明显特性的位错环精确性质。已经发现了间
隙型和空位型位错环的证据，但这些试验指出，空位型的位错环是主
要的
出自http://www.bjsgyq.com/北京显微镜百科