标题:晶粒成长、相变制备过程偏析和析出实验显微镜

信息分类:站内新闻   作者:yiyi发布   时间:2015-10-22 14:18:40 将本页加入收藏

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正文:

晶粒成长、相变制备过程偏析和析出实验显微镜


通常讲陶瓷的特性受其晶界现象影响,这句话并不过言。即

首先是烧结、晶粒成长、相变时成核等制备过程中的现象,而机
械强度、韧性、塑性变形、高温蠕变等力学性质(机械性质)、
电导率、介电损耗等电学性质和耐腐蚀性等化学性质则取决于多

晶体晶界的性质和状态。尽管晶界对陶瓷起着如此重要的作用,
但其结构与性质方面的确切情况还几乎不清楚。目前,比较清楚
的是金属多晶体的晶界。因此,往往从金属晶界去类推陶瓷(大
多为氧化物)晶界。如将金属晶界和陶瓷晶界相比,确实有下列
几个相似之处。

    1)界面能和界面张力(即在热力学上可作同样的分析)
    2)晶界上的杂质对物质迁移的影响,
    3)晶界扩散比晶格内扩散明显得多,
    4)由于晶界滑移而引起的形变,

非平衡状态的晶界偏析和相分离

偏析和析出现象
    晶界区域的溶质偏析和相分离处于非平衡状态,譬如冷却过
程中常会引起这种现象。冷却速度对偏析的程度有明显的影响。
即慢慢冷却时偏析就多,急冷时偏析就少。


在阐述晶界现象时,必须注意以下区别:
    1)晶界上的现象——说明晶界的位错中心,
    2)晶界附近的现象——说明晶界附近的应力和空间电荷,
    3)与晶界有关的现象——在非平衡状态下,说明宽度变化
的晶界区域的溶质偏析和相分离。
    “处于平衡状态的晶界的宽度是晶格常数的几倍"这个结论
以下列事实为根据:
    1)观察晶界能低的孪晶晶界,观察晶界上的结晶学小晶
面,观察具有位错网络结构的小角度晶界,受到晶界应力作用的
宽度是在电子显微镜分辨率的范围内(30~50埃以下),
    2)和晶界扩散的数据一致











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