点击查看产品参数和报价--丨--
---
---
---
正文:
具有半导体性质的铁矽化物(β-FeSi2)在近十年获得了很大的注意,
它具有0.8 eV的直接能隙,可以发出波长约1.54 μm的光,
可应用于合成矽基材料的红外线发光元件(IR-Light emitting device, IR-LED)
或红外线感测器(IR Sensor)。
本研究利用反应式磊晶法在矽基材上生长纳米尺寸的铁矽化物,
并探讨不同结构的铁矽化物对其光学性质的影响。研究结果显示,
于基材温度400℃时为β-FeSi2及γ-FeSi2共存,基材温度500、600、700℃
时为β-FeSi2、γ-FeSi2及α-FeSi2共存,PL的量测中在波长为1614 nm及1655 nm处有波峰出现
。
此外,利用纳米球微影技术,在矽基材上制备二维规则排列之图案化氮化矽模板,
藉由此模板成长铁矽化物纳米点阵列,并探讨不同结构的铁矽化物纳米点阵列
对其光学性质的影响。研究结果显示,于基材温度500、600℃时为β-FeSi2,
基材温度700℃时为α-FeSi2,PL的量测中在波长为1615 nm及1654 nm处有波峰出现,
峰值的半高宽相较于先前所提之文献所量测出的值小,
表示利用此种制程??方法所生成之β-FeSi2的纳米结构,
推测由于尺寸效应可以得到较佳之光学性质
出自http://www.bjsgyq.com/
北京显微镜百科