点击查看产品参数和报价--丨--
---
---
---
正文:
显微光激发荧光光谱实验装置
由 SEM 上面可以看到我们的 GaAs 多面体结构尺度皆在纳米层
级,所以为了量测这个结构及量子点的发光,我们必须使用显微光激
发荧光(micro-photoluminescence,简称μ-PL)光谱来做量测,本实验
之光谱量测是在低温下(约 5~8K)进行,实验装置图如图 3.6,我们利
用氦氖激光将激光光经由 50 倍物镜聚焦到样品表面,而经过聚焦过
的激光光点可达 1μm,由于样品中的电子会从价电带被激发到传导
带,而传导带的电子会与价电带的电洞再结合(recombination)发出荧
光,荧光经由光谱仪(monochromator)分光后被硅探测器(Si detector)
所接收,并将光讯号转为电讯号,最后由电脑转换为我们所看到的荧
光光谱图。
影像监控系统,由监视器(monitor)、白光灯
源(lamp)、电荷耦合探测器(CCD)、分光镜(beam splitter)所组成,因
为我们的样品上面有许多大小不同的元件,所以为了使激光光打在我
们想要的位置上,需要一个能同时观察到激光光及样品表面的系统,
图中的分光镜为可移动式,当我们想观察激光光与样品表面的位置
时,可把分光镜移下来,则激光光与白光灯源打到样品表面的反射光
会经由 CCD 成像在监视器上,而我们可以利用电脑控制步进马达来
微调样品的左右位置及焦距,当要量测荧光光谱时,在把分光镜移上
去即可。
显微光激发荧光光谱实验所需装置配件如下:
1. 激光光源:氦氖激光,波长 632.8nm。
2. 分光镜:部分穿透与部分反射的镜片。
3. 物镜:50 倍物镜。
4. 液态氦冷却平台(cryostat):降低温及样品置放位置。
5. 光谱仪:选定特定波长的光。
6. 硅探测器:适用范围 1.1eV ~ 3eV
出自http://www.bjsgyq.com/
北京显微镜百科