标题：表面粗糙度测量仪器-光学精密仪器厂家
信息分类:站内新闻
作者:yiyi发布
时间:2013-6-30 23:51:18
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正文:
单晶矽为半导体晶片常用之基板材料，但在封装过程若设计不当则有可能因材料间热膨胀系数不匹配而造成晶片破坏。
许多学者藉由各种测试方式期望能得到矽晶片的破坏强度以改善制程良率，并发现当单晶矽试片尺寸缩小时其强度上升
然而，当制造较小尺寸试片时由于制造方式改变会造成粗糙度的改变，并影响破坏强度。
因此，本研究的目的在于建立一套方法以获得带有粗糙度影响之破坏强度。
由于实验结果显示侧面粗糙度的影响较表面粗糙度的影响大，因此本研究聚焦于侧面粗糙度对破坏强度的影响。
首先，利用光学显微镜配合影像处理技术重建试片的侧面粗糙度曲线，并获得最大粗糙度高度R_max以及平均波峰间距
S_m等粗糙度参数。接着，进行三点弯折实验以获得试片破坏时所需位移，并拟合韦伯分布曲线获得最大近似估计量。
最后，把粗糙度参数以及破坏时所需位移代入有等效凹槽的有限元素模型并进行求解，
可得到试片破坏时凹槽顶端之第一主应力，即带有侧面粗糙度影响的单晶矽破坏强度。
结果显示带有侧面粗糙度影响的单晶矽破坏强度约为2.7 GPa，此数值与文献相比在合理范围内。尽管如此，
本方法在表面存在研磨痕迹且痕迹与侧面接近垂直时会造成高估的结果，
若利用在表面抛光后的试片可望有较合理的结果
出自http://www.bjsgyq.com/北京显微镜百科