标题:微影技术简介-晶圆表面的光学量测几何图案

信息分类:站内新闻   作者:yiyi发布   时间:2013-6-12 20:40:23 将本页加入收藏

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正文:

微影技术简介-晶圆表面的光学量测几何图案

在半导体制程中,微影技术是决定半导体线宽尺寸的关键技术,

而覆盖误差量的控制又是微影制程的关键。随着半导体制程的发展,积体电路的元件线宽越来越小,
覆盖误差(Overlay error)量的控制也越来越重要。产生覆盖误差的原因是光罩之对
位不正以及光源经过透镜组与光罩后,因为电磁场与表面结构之近场交互作用的
效应以及远场之光学像差影响,造成晶圆表面的光学量测几何图案偏移与变形。
为了能有效控制覆盖误差量,除了利用测量仪器做精确定位以减少对位产生之误差之
外,对于图案线宽小于波长等级之结构,使用数值模拟的方法在电脑上进行计算,
以事先了解光罩图案在近场因绕射效应产生之图案变形,做最佳之光罩图样设计以减
少覆盖误差量是较经济且有效的做法。










出自http://www.bjsgyq.com/北京显微镜百科
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