标题：金属线,晶片(chip) 划痕检测金相显微镜
信息分类:站内新闻
作者:yiyi发布
时间:2013-6-8 23:23:07
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正文:
微裂缝由于毛细作用力会只留住化学机械研磨制程阶段的化学物质，在化学机械研磨后的清洗阶段，
想要从微裂缝中完全移除这些残留化学物质是相当困难的，因此任何被留住的化学物质都会继续扩展晶粒边界的损伤。
对0.25微米线宽技术而言，晶粒间分离数目对低的铜杂质包含等级而言，会高至108-109，
即使只有一个分离数会让腐蚀扩展到金属线的底部，晶片(chip)也会被刮伤，
相对于其他的金属薄膜，此种现象会让化学机械研磨铜制程有更显着的腐蚀高风险。
除了在应力状态下会产生晶粒间的裂缝外，电镀薄膜层的针孔也有增加腐蚀的风险，
针孔随处可见(例如在晶片的铜垫接点上、在铜线内)，同时针孔也会深入薄膜内
，即使不是在化学机械研磨制程阶段，也能以毛细作用留住腐蚀性的化学物质进而腐蚀薄膜
，这些针孔的发生机制目前仍然不清楚
出自http://www.bjsgyq.com/北京显微镜百科