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正文:
无电镀析镀镍于二氧化矽奈米线上之特性研究
利用金颗粒成长二氧化矽奈米线,再以无电镀析镀的方式,析镀镍于二氧化矽奈米线基材上,
无电镀析镀Ni-P薄膜的pH 値分别是4.2、4.6、5.0及5.4,
将已析镀Ni-P薄膜之试片在温度400℃、450℃、500℃下进行真空快速退火热处理(Rapid Thermal Annealing , RTA)。
使用
金相显微镜分析表面型态,X光绕射仪(XRD)探讨Ni-P薄膜之结构,
交流式梯度磁场量侧仪(AGM) 量侧其磁性。
实验结果指出,在退火400℃、10 s时,pH5.4、析镀时间180s与90s,pH5.0、析镀时间203s,pH4.6、
析镀时间270s之薄膜皆有优异的软磁性。随着退火温度与退火时间增加,Ni颗粒会渐渐变大,
顽磁力(Hc)值也随之增大,而使软磁特性渐渐丧失;在pH値影响方面,pH5.4条件下析镀之薄膜,
其软磁特性较容易丧失, 而pH4.2条件下析镀之薄膜,软磁性则越不易丧失。
关键字:无电镀、二氧化矽奈米线、顽磁力、软磁性。
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出自http://www.bjsgyq.com/
北京显微镜百科