标题：晶圆检测显微镜-判断研磨品质,颗粒大小测量
信息分类:站内新闻
作者:yiyi发布
时间:2013-3-19 11:54:55
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正文:
晶片切割研磨
完成制程晶圆(Wafer)我们将它切成晶片(Chip)，因为铌酸锂在切割过程容易破裂，
依照经验我们必须控制切割时的进刀速度小于０．５mm/sec以防止晶片破裂。
完成晶片切割后，在晶片的两端贴上同等宽度的铌酸锂挡片(Block)，
做角度切割后再研磨。贴上这挡片的用意是为了强化光波导与光纤结合强
度，并且可防止晶片研磨时边缘破坏(Chipping)或圆化(Rounding)造成光
波导缺陷影响光耦合效率。
晶片研磨采用光纤研磨系统，研磨系统的组成包含研磨机、晶片夹具、研磨片及加压锤。
首先我们将晶片锁在夹具上，夹具夹持的方式是靠机械夹持，
夹持的部位在晶片的末端挡片上不会对光波导造成破坏，夹持方式也不需使用蜜腊，
省了繁杂的上密腊与清洁密腊的程序。夹具基座的用处在于提供一个平台，
使晶片夹持时每一片的伸出量相等，使每一片晶片在同一研磨面上，并且可藉此校準每一片晶片的研磨角度。
加压锤可加入不同重量的砝码来调整研磨压力，配合不同大小颗粒的研磨片加上适
当的压力以确保研磨效果，
研磨机转动为固定转速 120rpm 公转及 2rpm 自转，所以切削量是藉由时间长短来控制，由于研磨方式采取颗粒大小渐进
变化所以可缩短研磨时间至半小时以内，
研磨结果使用工业检测显微镜检查判断研磨品质，不容许太多刮痕，因为刮痕越多光波导被刮到的机率越高，一般要求刮痕少于五条
出自http://www.bjsgyq.com/北京显微镜百科