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首先,由于半导体先于电介质打印,打印电介质过程中使用的溶剂不
能对半导体层性能造成很大的影响,这一点非常关键。此外,为了制备出
无针孑L的电介质层,半导体层本身必须足够光滑。特别需要注意接触处附
近的边缘,以确保电介质覆盖得当。如处理不当,可能会造成介质层较多
气子L,会导致栅极和源极/漏极之间连接短路。其次,在顶栅型结构的典
型工艺流程中,半导体层要优先于其他各层进行印刷,严格限制了打印的
热处理过程。半导体必须能够耐受烧结各层时所需的温度,因而限制了电
介质和导体材料的灵活选择。
底栅型结构工艺整合制备底栅型结构晶体管的典型工艺流程
在底栅型结构的典型工艺流程中。半导体层是最后打印的。这为半
导体热耐受性和溶剂兼容性的选择提供了最大的灵活度,但也限制了电介
质的选择。显然,与顶栅型结构一样,在底栅型结构中,栅极和源极/漏
极之间的电介质层的针孑L是关键的因素。由于底栅型结构中界面形貌相对
复杂,电介质的阶梯覆盖就成了优化的关键参数。如果电介质没能包覆栅
极的边缘,将会造成短路,损坏设备。底栅型结构已经同烧结纳米颗粒电
极以及交联电介质联用‘博’。显示了底栅型结构在工艺集成方面的优势
。此外,最近有报道提出,对许多半导体而言采用顶栅型结构可获得最佳
的半导体性能,这是由于前面所述的顶栅型结构所具有的界面和形貌方面
的优势。
出自http://www.bjsgyq.com/
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